項目		內(nèi)容
分辨率		1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2
放大倍率		10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)  30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)
電子光學(xué)系統(tǒng)	電子槍	ZrO /W 肖特基式電子槍
	加速電壓	0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進(jìn))
	著陸電壓	減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1
	最大束流	> 200 nA
探測器		低位二次電子探測器
低真空模式*2		真空范圍: 10 - 300 Pa
馬達(dá)臺	馬達(dá)臺控制	5 - 軸自動 (優(yōu)中心)
	可動范圍	X：0～100mm Y：0～50mm Z：3～65mm T：-20～90° R：360°
	最大樣品尺寸	最大直徑: 200 mm 最大高度: 80 mm
選配探測器		高分辨率頂位二次電子探測器＊1 高靈敏度低真空探測器 (UVD) 5分割半導(dǎo)體探測器 (PD-BSD)*3 能譜儀 (EDS) 波譜儀 (WDS) 背散射電子衍射探測器 (EBSD)

高性能電子光學(xué)系統(tǒng)

• 二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)＊
• 高靈敏度: 高效PD-BSD, 超強(qiáng)的低加速電壓性能，低至100 V成像
• 大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析

性能優(yōu)異

• 壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配備高靈敏度低真空探測器(UVD)＊
• 開倉室快速簡單換樣(最大樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
• 微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等

*：

選配附件